SI4906DY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4906DY-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：43
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 43 | ￥4.435231 | ￥190.71 |
| 50 | ￥3.843779 | ￥192.19 |
| 100 | ￥3.548218 | ￥354.82 |
| 1000 | ￥3.252492 | ￥3252.49 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4906DY-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
39mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
625pF @ 20V
功率 - 最大值
3.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
SI4906DY-T1-E3 同类别型号
注
SI4906DY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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SI4906DY-T1-E3
型号：SI4906DY-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 43+： | ￥4.435231 |
| 50+： | ￥3.843779 |
| 100+： | ￥3.548218 |
| 1000+： | ￥3.252492 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00