TT8J13TCR
库存 ：1071
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 44 mOhms, 44 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 60 ns, 60 ns
上升时间 40 ns, 40 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 160 ns, 160 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8J13
单位重量 56.165 mg
TT8J13TCR 同类别型号
注
TT8J13TCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TT8J13TCR
数据手册PDF。
TT8J13TCR
型号：TT8J13TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1071 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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