SQ1922EEH-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ1922EEH-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.869981 | ￥2609.94 |
| 6000 | ￥0.785789 | ￥4714.73 |
| 15000 | ￥0.729661 | ￥10944.92 |
| 30000 | ￥0.712823 | ￥21384.69 |
| 75000 | ￥0.690371 | ￥51777.82 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 840 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 700 pC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 78 mg
SQ1922EEH-T1_GE3 同类别型号
注
SQ1922EEH-T1_GE3
型号：SQ1922EEH-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.869981 |
| 6000+： | ￥0.785789 |
| 15000+： | ￥0.729661 |
| 30000+： | ￥0.712823 |
| 75000+： | ￥0.690371 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00