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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 5.5 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.15 V
栅极电荷 -
耗散功率 330 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 31.5 ns
正向跨导(Min) 150 S
上升时间 19.3 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 25.9 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 270 mg
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0DMP210DUDJ-7
型号:DMP210DUDJ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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