
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.847262 | ¥2541.79 |
| 6000 | ¥0.804169 | ¥4825.01 |
| 9000 | ¥0.746711 | ¥6720.40 |
| 30000 | ¥0.729474 | ¥21884.22 |
| 75000 | ¥0.710888 | ¥53316.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 84 mOhms, 84 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 4.8 S, 4.8 S
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns, 21 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns, 7.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0SSM6N815R,LF
型号:SSM6N815R,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.847262 |
| 6000+: | ¥0.804169 |
| 9000+: | ¥0.746711 |
| 30000+: | ¥0.729474 |
| 75000+: | ¥0.710888 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00