EM6J1T2R
库存 ：766
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.178169 | ￥6.18 |
| 10 | ￥5.251445 | ￥52.51 |
| 100 | ￥3.921734 | ￥392.17 |
| 500 | ￥3.081222 | ￥1540.61 |
| 1000 | ￥2.381123 | ￥2381.12 |
| 2000 | ￥2.170925 | ￥4341.85 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 EM6J1
单位重量 6 mg
EM6J1T2R 同类别型号
注
EM6J1T2R品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、EM6J1T2R
数据手册PDF。
EM6J1T2R
型号：EM6J1T2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：766 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.178169 |
| 10+： | ￥5.251445 |
| 100+： | ￥3.921734 |
| 500+： | ￥3.081222 |
| 1000+： | ￥2.381123 |
| 2000+： | ￥2.170925 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.18