DMN3035LWN-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMN3035LWN-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥2.36435 | ￥7093.05 |
| 6000 | ￥2.13555 | ￥12813.30 |
| 15000 | ￥1.982972 | ￥29744.58 |
| 30000 | ￥1.937211 | ￥58116.33 |
| 75000 | ￥1.87615 | ￥140711.25 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 45 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.9 nC
耗散功率 1.78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 2 ns
正向跨导（Min） -
上升时间 3.3 ns, 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns, 10.6 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 10 mg
DMN3035LWN-7 同类别型号
注
DMN3035LWN-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN3035LWN-7
数据手册PDF
。
DMN3035LWN-7
型号：DMN3035LWN-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥2.36435 |
| 6000+： | ￥2.13555 |
| 15000+： | ￥1.982972 |
| 30000+： | ￥1.937211 |
| 75000+： | ￥1.87615 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00