货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.062097 | ¥6186.29 |
6000 | ¥1.862546 | ¥11175.28 |
15000 | ¥1.729474 | ¥25942.11 |
30000 | ¥1.689563 | ¥50686.89 |
75000 | ¥1.636308 | ¥122723.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 45 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.9 nC
耗散功率 1.78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2 ns, 2 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 3.3 ns, 3.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns, 10.6 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 10 mg
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0DMN3035LWN-7
型号:DMN3035LWN-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.062097 |
6000+: | ¥1.862546 |
15000+: | ¥1.729474 |
30000+: | ¥1.689563 |
75000+: | ¥1.636308 |
货期:7-10天
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