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DMN3035LWN-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN3035LWN-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
渠道:
digikey

库存 :2764

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.807332 5.81
10 4.991833 49.92
25 4.655749 116.39
100 3.458452 345.85
250 3.286208 821.55
500 2.700779 1350.39
1000 2.195172 2195.17

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 Enhancement Mode MOSFET

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 5.5 A

漏源电阻 45 mOhms, 45 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 9.9 nC

耗散功率 1.78 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2 ns, 2 ns

正向跨导(Min) -

上升时间 3.3 ns, 3.3 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 10.6 ns, 10.6 ns

典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns

外形参数

高度 0.8 mm

长度 3 mm

宽度 3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Enhancement Mode MOSFET

单位重量 10 mg

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型号:DMN3035LWN-7

品牌:DIODES

供货:锐单

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1+: ¥5.807332
10+: ¥4.991833
25+: ¥4.655749
100+: ¥3.458452
250+: ¥3.286208
500+: ¥2.700779
1000+: ¥2.195172

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