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DMN3135LVT-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN3135LVT-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 0.872753 2618.26
6000 0.828355 4970.13
9000 0.769217 6922.95
30000 0.754712 22641.36

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 60 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 4.1 nC

耗散功率 1.27 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 2.5 ns

上升时间 4.6 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 13.1 ns

典型接通延迟时间 2.6 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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DMN3135LVT-7

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型号:DMN3135LVT-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥0.872753
6000+: ¥0.828355
9000+: ¥0.769217
30000+: ¥0.754712

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