
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.872753 | ¥2618.26 |
| 6000 | ¥0.828355 | ¥4970.13 |
| 9000 | ¥0.769217 | ¥6922.95 |
| 30000 | ¥0.754712 | ¥22641.36 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 1.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.5 ns
上升时间 4.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.1 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
购物车
0DMN3135LVT-7
型号:DMN3135LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.872753 |
| 6000+: | ¥0.828355 |
| 9000+: | ¥0.769217 |
| 30000+: | ¥0.754712 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00