SQJQ906EL-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJQ906EL-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥15.249481 | ￥30498.96 |
| 6000 | ￥14.144446 | ￥84866.68 |
| 10000 | ￥13.591928 | ￥135919.28 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 3.6 mOhms, 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
正向跨导（Min） 86 S, 86 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
SQJQ906EL-T1_GE3 同类别型号
注
SQJQ906EL-T1_GE3
型号：SQJQ906EL-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥15.249481 |
| 6000+： | ￥14.144446 |
| 10000+： | ￥13.591928 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00