货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.546386 | ¥5.55 |
10 | ¥4.776683 | ¥47.77 |
100 | ¥3.570061 | ¥357.01 |
500 | ¥2.804886 | ¥1402.44 |
1000 | ¥2.167506 | ¥2167.51 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 1.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.5 ns
上升时间 4.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.1 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN3135LVT-7
型号:DMN3135LVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.546386 |
10+: | ¥4.776683 |
100+: | ¥3.570061 |
500+: | ¥2.804886 |
1000+: | ¥2.167506 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.55