商品描述
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
FET 类型
N and P-Channel Complementary
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4.1A, 3A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
70mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
630pF @ 24V
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)