NDT02N60ZT1G
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- 制造商编号：
- NDT02N60ZT1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥1.468152 | ￥1468.15 |
| 2000 | ￥1.307545 | ￥2615.09 |
| 5000 | ￥1.238729 | ￥6193.64 |
| 10000 | ￥1.146996 | ￥11469.96 |
| 25000 | ￥1.128614 | ￥28215.35 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NDT02N60ZT1G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
300mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8Ohm @ 700mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.4nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
170pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-223 (TO-261)
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
NDT02N60ZT1G 同类别型号
注
NDT02N60ZT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NDT02N60ZT1G
数据手册PDF。
NDT02N60ZT1G
型号：NDT02N60ZT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥1.468152 |
| 2000+： | ￥1.307545 |
| 5000+： | ￥1.238729 |
| 10000+： | ￥1.146996 |
| 25000+： | ￥1.128614 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00