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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 3.6 mOhms, 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
正向跨导(Min) 86 S, 86 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
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0SQJQ906EL-T1_GE3
型号:SQJQ906EL-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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