
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥3.175661 | ¥7939.15 |
| 5000 | ¥3.093165 | ¥15465.82 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6.5 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
正向跨导(Min) 4 S
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 83 mg
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0RSH065N06TB1
型号:RSH065N06TB1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥3.175661 |
| 5000+: | ¥3.093165 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00