货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥5.909878 | ¥5.91 |
10 | ¥4.577012 | ¥45.77 |
100 | ¥2.743692 | ¥274.37 |
500 | ¥2.539991 | ¥1270.00 |
1000 | ¥1.727194 | ¥1727.19 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.6 A, 1.4 A
漏源电阻 122 mOhms, 226 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2 V
栅极电荷 5.1 nC, 2.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 1.9 S, 1 S
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7 mg
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0SSM6L40TU,LF
型号:SSM6L40TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.909878 |
10+: | ¥4.577012 |
100+: | ¥2.743692 |
500+: | ¥2.539991 |
1000+: | ¥1.727194 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.91