FDC6305N
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.142616 | ￥1.14 |
| 10 | ￥0.874134 | ￥8.74 |
| 30 | ￥0.824799 | ￥24.74 |
| 100 | ￥0.775532 | ￥77.55 |
| 500 | ￥0.75359 | ￥376.80 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.7 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 5 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8.5 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC6305N_NL
单位重量 36 mg
FDC6305N 同类别型号
注
FDC6305N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDC6305N
数据手册PDF。
FDC6305N
型号：FDC6305N
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.142616 |
| 10+： | ￥0.874134 |
| 30+： | ￥0.824799 |
| 100+： | ￥0.775532 |
| 500+： | ￥0.75359 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1.14