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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 400 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 3.4 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.9 V
栅极电荷 6.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 1.2 S
上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 250 mg
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0NDT03N40ZT1G
型号:NDT03N40ZT1G
品牌:ON
供货:锐单
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