货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥10.023554 | ¥25058.89 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 75 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 42 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD110N12N3 G SP001127808
单位重量 4 g
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0IPD110N12N3GATMA1
型号:IPD110N12N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥10.023554 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00