SI4914DY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4914DY-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：81
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 81 | ￥0.976212 | ￥79.07 |
| 100 | ￥0.901119 | ￥90.11 |
| 1000 | ￥0.826025 | ￥826.02 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4914DY-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
LITTLE FOOT®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.5A, 5.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
23mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.1W, 1.16W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
SI4914DY-T1-E3 同类别型号
注
SI4914DY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF。
SI4914DY-T1-E3
型号：SI4914DY-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 81+： | ￥0.976212 |
| 100+： | ￥0.901119 |
| 1000+： | ￥0.826025 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00