货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.06825 | ¥3204.75 |
6000 | ¥1.013932 | ¥6083.59 |
9000 | ¥0.941509 | ¥8473.58 |
30000 | ¥0.919824 | ¥27594.72 |
75000 | ¥0.89635 | ¥67226.25 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
上升时间 9.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0SQ1922AEEH-T1_GE3
型号:SQ1922AEEH-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.06825 |
6000+: | ¥1.013932 |
9000+: | ¥0.941509 |
30000+: | ¥0.919824 |
75000+: | ¥0.89635 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00