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STGP8M120DF3

ST(意法半导体)
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制造商编号:
STGP8M120DF3
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,
渠道:
digikey

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定价(含税)

数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

STGP8M120DF3

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V,

包装

-

系列

-

零件状态

Active

IGBT 类型

Trench Field Stop

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

16A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)

32A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

2.3V @ 15V, 8A

功率 - 最大值

-

开关能量

390µJ (on), 370µJ (Off)

输入类型

Standard

栅极电荷

32nC

25°C 时 Td(开/关)值

20ns/126ns

测试条件

600V, 8A, 33Ohm, 15V

反向恢复时间(trr)

103ns

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

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型号:STGP8M120DF3

品牌:ST

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