SQ1922AEEH-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36
- 渠道：
- digikey
库存 ：23351
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.23895 | ￥6.24 |
| 10 | ￥5.359826 | ￥53.60 |
| 100 | ￥3.730609 | ￥373.06 |
| 500 | ￥2.913023 | ￥1456.51 |
| 1000 | ￥2.367682 | ￥2367.68 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 850 mA
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
上升时间 9.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
SQ1922AEEH-T1_GE3 同类别型号
注
SQ1922AEEH-T1_GE3
型号：SQ1922AEEH-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：23351 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.23895 |
| 10+： | ￥5.359826 |
| 100+： | ￥3.730609 |
| 500+： | ￥2.913023 |
| 1000+： | ￥2.367682 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.24