货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥36.519395 | ¥36.52 |
10 | ¥32.809672 | ¥328.10 |
100 | ¥26.367928 | ¥2636.79 |
500 | ¥21.663859 | ¥10831.93 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB70N10S3-12 SP000261246
单位重量 4 g
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0IPB70N10S312ATMA1
型号:IPB70N10S312ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥36.519395 |
10+: | ¥32.809672 |
100+: | ¥26.367928 |
500+: | ¥21.663859 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.52