搜索

IPB70N10S312ATMA1

INFINEON(英飞凌)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
IPB70N10S312ATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
渠道:
digikey

库存 :946

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 36.519395 36.52
10 32.809672 328.10
100 26.367928 2636.79
500 21.663859 10831.93

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 70 A

漏源电阻 9.4 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 66 nC

耗散功率 125 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

上升时间 8 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 25 ns

典型接通延迟时间 17 ns

外形参数

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB70N10S3-12 SP000261246

单位重量 4 g

IPB70N10S312ATMA1 相关产品

IPB70N10S312ATMA1品牌厂家:INFINEON ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IPB70N10S312ATMA1、查询IPB70N10S312ATMA1代理商; IPB70N10S312ATMA1价格批发咨询客服;这里拥有 IPB70N10S312ATMA1中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到IPB70N10S312ATMA1 替代型号 、IPB70N10S312ATMA1 数据手册PDF

购物车

IPB70N10S312ATMA1

锐单logo

型号:IPB70N10S312ATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:946 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥36.519395
10+: ¥32.809672
100+: ¥26.367928
500+: ¥21.663859

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥36.52