货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.69796 | ¥2093.88 |
6000 | ¥0.659204 | ¥3955.22 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 900 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.54 ns
上升时间 7.28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.74 ns
典型接通延迟时间 4.06 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 80 mg
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0DMN2400UFD-7
型号:DMN2400UFD-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.69796 |
6000+: | ¥0.659204 |
货期:1-2天
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