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APTM20DUM08TG

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTM20DUM08TG
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
渠道:
digikey

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数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

APTM20DUM08TG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

2 N-Channel (Dual)

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

208A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

10mOhm @ 104A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

5V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

280nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

14400pF @ 25V

功率 - 最大值

781W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP4

供应商器件封装

SP4

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型号:APTM20DUM08TG

品牌:MICROSEMI

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