SIZ342ADT-T1-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIZ342ADT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
- 渠道：
- digikey
库存 ：3425
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.938822 | ￥9.94 |
| 10 | ￥8.713805 | ￥87.14 |
| 100 | ￥6.677502 | ￥667.75 |
| 500 | ￥5.27867 | ￥2639.34 |
| 1000 | ￥4.222844 | ￥4222.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 33.4 A
漏源电阻 9.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 12.2 nC
耗散功率 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 Dual N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ342ADT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ342ADT-T1-GE3
型号：SIZ342ADT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3425 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥9.938822 |
| 10+： | ￥8.713805 |
| 100+： | ￥6.677502 |
| 500+： | ￥5.27867 |
| 1000+： | ￥4.222844 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.94