NTJD4152PT2G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.65658 | ￥1969.74 |
| 6000 | ￥0.616766 | ￥3700.60 |
| 15000 | ￥0.576952 | ￥8654.28 |
| 30000 | ￥0.529229 | ￥15876.87 |
| 75000 | ￥0.509349 | ￥38201.18 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 880 mA
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 3 S
上升时间 6.5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 13.5 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
NTJD4152PT2G 同类别型号
注
NTJD4152PT2G
型号：NTJD4152PT2G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.65658 |
| 6000+： | ￥0.616766 |
| 15000+： | ￥0.576952 |
| 30000+： | ￥0.529229 |
| 75000+： | ￥0.509349 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00