APTM100H35FT3G
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- APTM100H35FT3G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：100
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 100 | ￥1316.046934 | ￥131604.69 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM100H35FT3G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
1000V (1kV)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
22A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
420mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
186nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5200pF @ 25V
功率 - 最大值
390W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
APTM100H35FT3G 同类别型号
注
APTM100H35FT3G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购APTM100H35FT3G、查询APTM100H35FT3G代理商；
APTM100H35FT3G价格批发咨询客服；这里拥有
APTM100H35FT3G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到APTM100H35FT3G
替代型号
、APTM100H35FT3G
数据手册PDF
。
APTM100H35FT3G
型号：APTM100H35FT3G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 100+： | ￥1316.046934 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00