
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.976178 | ¥36.98 |
| 10 | ¥33.151057 | ¥331.51 |
| 100 | ¥26.651183 | ¥2665.12 |
| 500 | ¥21.896413 | ¥10948.21 |
| 1000 | ¥18.142838 | ¥18142.84 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 12.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM650N15CS
单位重量 83 mg
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0TSM650N15CS RLG
型号:TSM650N15CS RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.976178 |
| 10+: | ¥33.151057 |
| 100+: | ¥26.651183 |
| 500+: | ¥21.896413 |
| 1000+: | ¥18.142838 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥36.98