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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 12.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM650N15CS
单位重量 83 mg
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0TSM650N15CS RLG
型号:TSM650N15CS RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
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