货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.179389 | ¥3538.17 |
6000 | ¥1.119436 | ¥6716.62 |
9000 | ¥1.039476 | ¥9355.28 |
30000 | ¥1.01551 | ¥30465.30 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 390 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 2.5 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1965DH-T1-BE3 SI1965DH-E3
单位重量 7.500 mg
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0SI1965DH-T1-E3
型号:SI1965DH-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.179389 |
6000+: | ¥1.119436 |
9000+: | ¥1.039476 |
30000+: | ¥1.01551 |
货期:1-2天
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