NTHD4102PT1G
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.328726 | ￥12.33 |
| 10 | ￥11.059591 | ￥110.60 |
| 100 | ￥8.620438 | ￥862.04 |
| 500 | ￥7.121168 | ￥3560.58 |
| 1000 | ￥5.622019 | ￥5622.02 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
外形参数
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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注
NTHD4102PT1G
型号：NTHD4102PT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.328726 |
| 10+： | ￥11.059591 |
| 100+： | ￥8.620438 |
| 500+： | ￥7.121168 |
| 1000+： | ￥5.622019 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥12.33