货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥5.978279 | ¥17934.84 |
6000 | ¥5.693552 | ¥34161.31 |
9000 | ¥5.43088 | ¥48877.92 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 12.2 mOhms, 1.27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 13.5 nC, 13.4 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 60 ns, 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
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0SIZ250DT-T1-GE3
型号:SIZ250DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.978279 |
6000+: | ¥5.693552 |
9000+: | ¥5.43088 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00