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CSD25501F3

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD25501F3
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
20V P CH MOSFET
渠道:
digikey

库存 :13341

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.966287 5.97
10 3.625666 36.26
100 2.282488 228.25
500 1.697792 848.90
1000 1.508553 1508.55

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 3.6 A

漏源电阻 260 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.05 V

栅极电荷 1.02 nC

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 945 ns

正向跨导(Min) 3.4 S

上升时间 428 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 1154 ns

典型接通延迟时间 474 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 0.300 mg

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CSD25501F3

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型号:CSD25501F3

品牌:TI

供货:锐单

库存:13341 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.966287
10+: ¥3.625666
100+: ¥2.282488
500+: ¥1.697792
1000+: ¥1.508553

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