SIZ250DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ250DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
- 渠道：
- digikey
库存 ：12979
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.518505 | ￥26.52 |
| 10 | ￥16.790003 | ￥167.90 |
| 100 | ￥11.260515 | ￥1126.05 |
| 500 | ￥8.8887 | ￥4444.35 |
| 1000 | ￥8.125423 | ￥8125.42 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 12.2 mOhms, 1.27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 13.5 nC, 13.4 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 60 ns, 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ250DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ250DT-T1-GE3
型号：SIZ250DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12979 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.518505 |
| 10+： | ￥16.790003 |
| 100+： | ￥11.260515 |
| 500+： | ￥8.8887 |
| 1000+： | ￥8.125423 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥26.52