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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 600 V
饱和电压 2.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 13 A
耗散功率 60 W
集电极连续电流(Max) 13 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
高度 8.77 mm
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 SP001541952
单位重量 6 g
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0IRG4BC20WPBF
型号:IRG4BC20WPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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