HAT2170HWS-E
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
HAT2170HWS-E
制造商
INTERSIL/RECTIFIER(瑞萨)
商品描述
MOSFET N-CH LFPAK-5
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
45A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.2mOhm @ 22.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
62nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4650pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W (Tc)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
5-LFPAK
封装/外壳
SC-100, SOT-669
HAT2170HWS-E 同类别型号
注
HAT2170HWS-E品牌厂家：INTERSIL/RECTIFIER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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HAT2170HWS-E
型号：HAT2170HWS-E
品牌：INTERSIL/RECTIFIER
供货：锐单
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