TT8K11TCR
库存 ：2599
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.56107 | ￥3.56 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 51 mOhms, 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
上升时间 13 ns, 13 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TT8K11
单位重量 56.165 mg
TT8K11TCR 同类别型号
注
TT8K11TCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、TT8K11TCR
数据手册PDF。
TT8K11TCR
型号：TT8K11TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2599 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥3.56107 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.56