货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥44.131797 | ¥44.13 |
10 | ¥37.028886 | ¥370.29 |
450 | ¥26.629719 | ¥11983.37 |
1350 | ¥22.801645 | ¥30782.22 |
2250 | ¥21.470192 | ¥48307.93 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 165 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 154 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 12 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0FCH165N65S3R0-F155
型号:FCH165N65S3R0-F155
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥44.131797 |
10+: | ¥37.028886 |
450+: | ¥26.629719 |
1350+: | ¥22.801645 |
2250+: | ¥21.470192 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥44.13