货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.454433 | ¥14.45 |
10 | ¥11.825224 | ¥118.25 |
100 | ¥9.197257 | ¥919.73 |
500 | ¥7.795925 | ¥3897.96 |
1000 | ¥6.350606 | ¥6350.61 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 12.2 mOhms, 1.27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 13.5 nC, 13.4 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 60 ns, 50 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 24 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
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0SIZ250DT-T1-GE3
型号:SIZ250DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.454433 |
10+: | ¥11.825224 |
100+: | ¥9.197257 |
500+: | ¥7.795925 |
1000+: | ¥6.350606 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.45