SIZ260DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ260DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.83957 | ￥6.84 |
| 10 | ￥5.595476 | ￥55.95 |
| 100 | ￥4.351972 | ￥435.20 |
| 500 | ￥3.688887 | ￥1844.44 |
| 1000 | ￥3.004989 | ￥3004.99 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 24.7 A, 24.6 A
漏源电阻 24.5 mOhms, 24.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 13.1 nC, 13.3 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns, 20 ns
上升时间 55 ns, 42 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZ260DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ260DT-T1-GE3
型号：SIZ260DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.83957 |
| 10+： | ￥5.595476 |
| 100+： | ￥4.351972 |
| 500+： | ￥3.688887 |
| 1000+： | ￥3.004989 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.84