
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.713738 | ¥5.71 |
| 10 | ¥4.320144 | ¥43.20 |
| 100 | ¥2.691032 | ¥269.10 |
| 500 | ¥1.841498 | ¥920.75 |
| 1000 | ¥1.41645 | ¥1416.45 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 305 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
购物车
0DMN601VKQ-7
型号:DMN601VKQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.713738 |
| 10+: | ¥4.320144 |
| 100+: | ¥2.691032 |
| 500+: | ¥1.841498 |
| 1000+: | ¥1.41645 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.71