NDDL01N60Z-1G
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- NDDL01N60Z-1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 12.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.9 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 700 mS
湿度敏感性 Yes
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
NDDL01N60Z-1G 同类别型号
注
NDDL01N60Z-1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购NDDL01N60Z-1G、查询NDDL01N60Z-1G代理商；
NDDL01N60Z-1G价格批发咨询客服；这里拥有
NDDL01N60Z-1G中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到NDDL01N60Z-1G
替代型号
、NDDL01N60Z-1G
数据手册PDF。
NDDL01N60Z-1G
型号：NDDL01N60Z-1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00