SQJ204EP-T1_GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQJ204EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
- 渠道：
- digikey
库存 ：46
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 3 mOhms, 8.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 20 nC, 50 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 38 S, 66 S
上升时间 5 ns, 27 ns
典型关闭延迟时间 22 ns, 34 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ204EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ204EP-T1_GE3
型号：SQJ204EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：46 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00