DMG6602SVT-7
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- 制造商编号：
- DMG6602SVT-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.490616 | ￥1471.85 |
| 6000 | ￥0.448631 | ￥2691.79 |
| 9000 | ￥0.42704 | ￥3843.36 |
| 15000 | ￥0.402608 | ￥6039.12 |
| 21000 | ￥0.388086 | ￥8149.81 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 100 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMG6602SVT-7 同类别型号
注
DMG6602SVT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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、DMG6602SVT-7
数据手册PDF
。
DMG6602SVT-7
型号：DMG6602SVT-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.490616 |
| 6000+： | ￥0.448631 |
| 9000+： | ￥0.42704 |
| 15000+： | ￥0.402608 |
| 21000+： | ￥0.388086 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00