货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.73607 | ¥4.74 |
10 | ¥3.377566 | ¥33.78 |
100 | ¥1.701246 | ¥170.12 |
500 | ¥1.507566 | ¥753.78 |
1000 | ¥1.173174 | ¥1173.17 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 100 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 4 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMG6602SVT-7
型号:DMG6602SVT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.73607 |
10+: | ¥3.377566 |
100+: | ¥1.701246 |
500+: | ¥1.507566 |
1000+: | ¥1.173174 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.74