DMG6602SVT-7
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- 制造商编号：
- DMG6602SVT-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：36059
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.272249 | ￥6.27 |
| 10 | ￥3.885736 | ￥38.86 |
| 100 | ￥1.797536 | ￥179.75 |
| 500 | ￥1.521863 | ￥760.93 |
| 1000 | ￥1.389841 | ￥1389.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.4 A, 2.8 A
漏源电阻 100 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 840 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMG6602SVT-7 同类别型号
注
DMG6602SVT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMG6602SVT-7
数据手册PDF
。
DMG6602SVT-7
型号：DMG6602SVT-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：36059 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.272249 |
| 10+： | ￥3.885736 |
| 100+： | ￥1.797536 |
| 500+： | ￥1.521863 |
| 1000+： | ￥1.389841 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.27