IRF6638TR1PBF
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- 制造商编号：
- IRF6638TR1PBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：14
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 14 | ￥13.647077 | ￥191.06 |
| 20 | ￥13.647077 | ￥272.94 |
| 50 | ￥13.647077 | ￥682.35 |
| 100 | ￥13.647077 | ￥1364.71 |
| 300 | ￥13.647077 | ￥4094.12 |
| 500 | ￥13.647077 | ￥6823.54 |
| 1000 | ￥13.647077 | ￥13647.08 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6638TR1PBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A (Ta), 140A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.9mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
45nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3770pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET™ MX
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MX
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注
IRF6638TR1PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF6638TR1PBF
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。
IRF6638TR1PBF
型号：IRF6638TR1PBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 14+： | ￥13.647077 |
| 20+： | ￥13.647077 |
| 50+： | ￥13.647077 |
| 100+： | ￥13.647077 |
| 300+： | ￥13.647077 |
| 500+： | ￥13.647077 |
| 1000+： | ￥13.647077 |
货期：7-10天
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