SQJ208EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ208EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.04064 | ￥21.04 |
| 10 | ￥18.865494 | ￥188.65 |
| 100 | ￥14.704279 | ￥1470.43 |
| 500 | ￥12.147559 | ￥6073.78 |
| 1000 | ￥9.590126 | ￥9590.13 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 9.4 mOhms, 3.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V, 1.4 V
栅极电荷 33 nC, 75 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 25 ns, 57 ns
正向跨导（Min） 32 S, 51 S
上升时间 4 ns, 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SQJ208EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ208EP-T1_GE3
型号：SQJ208EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.04064 |
| 10+： | ￥18.865494 |
| 100+： | ￥14.704279 |
| 500+： | ￥12.147559 |
| 1000+： | ￥9.590126 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.04