货期: 8周-10周
起订量:6000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
6000 | ¥5.9718 | ¥35830.80 |
9000 | ¥5.696168 | ¥51265.51 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 75 A, 141 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 1.84 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.1 V
栅极电荷 22 nC, 62 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
正向跨导(Min) 60 S, 90 S
上升时间 40 ns, 53 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
购物车
0SIZF300DT-T1-GE3
型号:SIZF300DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
6000+: | ¥5.9718 |
9000+: | ¥5.696168 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00